摘要： 为实现碳化硅晶片的高效低损伤抛光，提高碳化硅抛光的成品率，降低加工成本，对现有的碳化硅化学机械抛光技术进行了总结和研究。针对碳化硅典型的晶型结构及其微观晶格结构特点，简述了化学机械抛光技术对碳化硅材料去除的影响。重点综述了传统化学机械抛光技术中的游离磨料和固结磨料工艺以及化学机械抛光的辅助增效工艺。同时从工艺条件、加工效果、加工特点及去除机理4个方面归纳了不同形式的化学机械抛光技术，最后对碳化硅的化学机械抛光技术的未来发展方向进行了展望，并对今后研究的侧重点提出了相关思路。

关键词: 碳化硅; 化学机械抛光; 晶型结构; 辅助增效; 去除机理

中图分类号: 

• TN305